IXTY08N100P

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Numero parte IXTY08N100P
LIXINC Part # IXTY08N100P
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTY08N100P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXTY08N100P Specifiche

Numero parte:IXTY08N100P
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:Polar™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:800mA (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11.3 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:240 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):42W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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