SSM3K318R,LF

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Numero parte SSM3K318R,LF
LIXINC Part # SSM3K318R,LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSM3K318R,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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SSM3K318R,LF Specifiche

Numero parte:SSM3K318R,LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSIV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:107mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.8V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-23F
pacchetto/caso:SOT-23-3 Flat Leads

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