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Numero parte | SSM3K318R,LF |
LIXINC Part # | SSM3K318R,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SSM3K318R,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SSM3K318R,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSIV |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.5A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 107mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.8V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 235 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-23F |
pacchetto/caso: | SOT-23-3 Flat Leads |
2SJ328-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | 9251 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10541 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
3000 | $0.12087 | $362.61 |
6000 | $0.11355 | $681.3 |
15000 | $0.10622 | $1593.3 |
30000 | $0.10256 | $3076.8 |
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