IRFHS8342TRPBF

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Numero parte IRFHS8342TRPBF
LIXINC Part # IRFHS8342TRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFHS8342TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFHS8342TRPBF Specifiche

Numero parte:IRFHS8342TRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.8A (Ta), 19A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.35V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TSDSON-6
pacchetto/caso:6-PowerVDFN

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