IPP084N06L3GXKSA1 | Rochester Electronics IPP084N06L3GXKSA1 | IPP084N06L3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP084N06L3GXKSA1

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Numero parte	IPP084N06L3GXKSA1
LIXINC Part #	IPP084N06L3GXKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPP084N06L3GXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPP084N06L3GXKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPP084N06L3GXKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 34µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4.9 pF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	79W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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