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Numero parte | SUM70060E-GE3 |
LIXINC Part # | SUM70060E-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 131A TO263 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SUM70060E-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SUM70060E-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | ThunderFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 131A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 7.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 5.6mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3330 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263 (D2Pak) |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRF840ASTRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | 1517 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 13071 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.18000 | $2.18 |
800 | $1.21063 | $968.504 |
1600 | $1.11101 | $1777.616 |
2400 | $1.03439 | $2482.536 |
5600 | $0.99608 | $5578.048 |
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