IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1
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Numero parte IPT60R022S7XTMA1
LIXINC Part # IPT60R022S7XTMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPT60R022S7XTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPT60R022S7XTMA1 Specifiche

Numero parte:IPT60R022S7XTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™S7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:23A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):12V
rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1.44mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 12 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5639 pF @ 300 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):390W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-HSOF-8-2
pacchetto/caso:8-PowerSFN

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