IRFIBF30GPBF

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Numero parte IRFIBF30GPBF
LIXINC Part # IRFIBF30GPBF
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFIBF30GPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFIBF30GPBF Specifiche

Numero parte:IRFIBF30GPBF
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3.7Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:78 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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