FDFC3N108

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Numero parte FDFC3N108
LIXINC Part # FDFC3N108
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDFC3N108 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDFC3N108 Specifiche

Numero parte:FDFC3N108
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:70mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:355 pF @ 10 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SuperSOT™-6
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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