IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3
Ingrandire

Solo per riferimento

Numero parte IPB80N06S2L07ATMA3
LIXINC Part # IPB80N06S2L07ATMA3
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB80N06S2L07ATMA3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S2L07ATMA3 Specifiche

Numero parte:IPB80N06S2L07ATMA3
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3160 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):210W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti che potrebbero interessarti

NDP7050 NDP7050 MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 8139

Maggiori informazioni su Ordine

IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26N06S2L35ATMA1 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 993

Maggiori informazioni su Ordine

DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 214927

Maggiori informazioni su Ordine

NTB6N60T4 NTB6N60T4 N-CHANNEL POWER MOSFET 7376

Maggiori informazioni su Ordine

NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 20040

Maggiori informazioni su Ordine

STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 989

Maggiori informazioni su Ordine

MCH3414-TL-E MCH3414-TL-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 99864

Maggiori informazioni su Ordine

SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP 1839

Maggiori informazioni su Ordine

IPB80N06S2L09ATMA2 IPB80N06S2L09ATMA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 816

Maggiori informazioni su Ordine

SI3400A-TP SI3400A-TP MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 808

Maggiori informazioni su Ordine

IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK 901

Maggiori informazioni su Ordine

NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN 947

Maggiori informazioni su Ordine

DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN 948

Maggiori informazioni su Ordine

Richiesta rapida

In magazzino 10932 - Maggiori informazioni su Ordine
Limite di quotazione Senza limiti
Tempi di consegna Essere confermato
Minimo 1

Suggerimenti caldi: Si prega di compilare il modulo sottostante. Ti contatteremo il prima possibile.

Prezzi (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.63000$2.63
1000$1.02798$1027.98

Lixinc offrirà i prezzi più competitivi per te, fai riferimento alle quotazioni.

Contattaci

CHIAMACI
SKYPE
LIXINC
Messaggio
Invia messaggio

Non esitate a contattarci per i dettagli.

I nostri certificati

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top