STH410N4F7-2AG

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Numero parte STH410N4F7-2AG
LIXINC Part # STH410N4F7-2AG
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STH410N4F7-2AG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STH410N4F7-2AG Specifiche

Numero parte:STH410N4F7-2AG
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:141 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):365W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:H2Pak-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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