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Numero parte | DMN2005UFGQ-7 |
LIXINC Part # | DMN2005UFGQ-7 |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DMN2005UFGQ-7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | DMN2005UFGQ-7 |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | Automotive, AEC-Q101 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 18A (Ta), 50A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 164 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±12V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 6495 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.05W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PowerDI3333-8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
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In magazzino | 14813 - Maggiori informazioni su Ordine |
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