DMN2005UFGQ-7

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Numero parte DMN2005UFGQ-7
LIXINC Part # DMN2005UFGQ-7
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMN2005UFGQ-7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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DMN2005UFGQ-7 Specifiche

Numero parte:DMN2005UFGQ-7
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Ta), 50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:164 nC @ 10 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6495 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.05W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerDI3333-8
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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