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FDZ299P

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Numero parte	FDZ299P
LIXINC Part #	FDZ299P
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDZ299P Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDZ299P Specifiche

Numero parte:	FDZ299P
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4.6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	742 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.7W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	9-BGA (2x2.1)
pacchetto/caso:	9-WFBGA

IRFL214TRPBF-BE3	MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223	3039 Maggiori informazioni su Ordine
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IXTP180N10T	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB	4443 Maggiori informazioni su Ordine
SPP73N03S2L-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	985 Maggiori informazioni su Ordine
IXTK120N65X2	MOSFET N-CH 650V 120A TO264	86970 Maggiori informazioni su Ordine
RM8N650LD	MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2	949 Maggiori informazioni su Ordine
IPA60R385CP	IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN	1275 Maggiori informazioni su Ordine
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R6012JNJGTL	MOSFET N-CH 600V 12A LPTS	1991 Maggiori informazioni su Ordine
PMV65XPEA215	P-CHANNEL MOSFET	885969 Maggiori informazioni su Ordine