IXTP180N10T | Wickmann / Littelfuse IXTP180N10T | IXTP180N10T Inventory, Best Pricing

IXTP180N10T

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Numero parte	IXTP180N10T
LIXINC Part #	IXTP180N10T
Produttore	Wickmann / Littelfuse
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IXTP180N10T Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IXTP180N10T Specifiche

Numero parte:	IXTP180N10T
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Wickmann / Littelfuse
serie:	TrenchMV™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	151 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	480W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

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