TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ10S04M3L(T6L1,NQ | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

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Numero parte	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TJ10S04M3L(T6L1,NQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Specifiche

Numero parte:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	44mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (massimo):	+10V, -20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	930 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	27W (Tc)
temperatura di esercizio:	175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK+
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3907 Maggiori informazioni su Ordine
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1938 Maggiori informazioni su Ordine
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1432 Maggiori informazioni su Ordine
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296845 Maggiori informazioni su Ordine
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1868 Maggiori informazioni su Ordine
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2900 Maggiori informazioni su Ordine
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	3066 Maggiori informazioni su Ordine
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	921 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1015 Maggiori informazioni su Ordine
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1748 Maggiori informazioni su Ordine
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1979 Maggiori informazioni su Ordine
IRFS7734TRLPBF	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK	1307 Maggiori informazioni su Ordine
RT1A045APTCR	MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST	3783 Maggiori informazioni su Ordine