IXFA180N10T2

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Numero parte IXFA180N10T2
LIXINC Part # IXFA180N10T2
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFA180N10T2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFA180N10T2 Specifiche

Numero parte:IXFA180N10T2
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:185 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):480W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263 (IXFA)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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