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IRF3709PBF

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Numero parte	IRF3709PBF
LIXINC Part #	IRF3709PBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF3709PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF3709PBF Specifiche

Numero parte:	IRF3709PBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.672 pF @ 16 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.1W (Ta), 120W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

TPS1101D	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC	1058 Maggiori informazioni su Ordine
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RJ1U330AAFRGTL	MOSFET N-CH 250V 33A LPTS	1857 Maggiori informazioni su Ordine
EKI10198	MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3	924 Maggiori informazioni su Ordine
SFU9034TU	P-CHANNEL POWER MOSFET	5356 Maggiori informazioni su Ordine
STB141NF55	MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK	950 Maggiori informazioni su Ordine
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IPP80N06S2-07AKSA4	N-CHANNEL POWER MOSFET	8318 Maggiori informazioni su Ordine
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