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Numero parte | TPS1101D |
LIXINC Part # | TPS1101D |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TPS1101D Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TPS1101D |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 15 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.3A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.7V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 11.25 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | +2V, -15V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | - |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 791mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOIC |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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In magazzino | 11041 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.68000 | $2.68 |
10 | $2.41828 | $24.1828 |
75 | $2.15921 | $161.94075 |
150 | $1.94328 | $291.492 |
525 | $1.51143 | $793.50075 |
1050 | $1.25233 | $1314.9465 |
2550 | $1.20914 | $3083.307 |
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