TPH3205WSBQA

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Numero parte TPH3205WSBQA
LIXINC Part # TPH3205WSBQA
Produttore Transphorm
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPH3205WSBQA Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPH3205WSBQA Specifiche

Numero parte:TPH3205WSBQA
Marca:Transphorm
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Transphorm
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tube
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:2.6V @ 700µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 8 V
vgs (massimo):±18V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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