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Numero parte | SSM3J168F,LF |
LIXINC Part # | SSM3J168F,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SSM3J168F,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | SSM3J168F,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVI |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 400mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 3 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | +20V, -16V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 82 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | S-Mini |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 10370 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.39000 | $0.39 |
3000 | $0.10330 | $309.9 |
6000 | $0.09704 | $582.24 |
15000 | $0.09078 | $1361.7 |
30000 | $0.08765 | $2629.5 |
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