BSZ100N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ100N03MSGATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ100N03MSGATMA1

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Numero parte	BSZ100N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ100N03MSGATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSZ100N03MSGATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 01 - Jul 05 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSZ100N03MSGATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSZ100N03MSGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TSDSON-8
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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