FDD6670AS

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Numero parte FDD6670AS
LIXINC Part # FDD6670AS
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDD6670AS Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDD6670AS Specifiche

Numero parte:FDD6670AS
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:76A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.58 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):70W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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