IPU60R1K4C6BKMA1

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Numero parte IPU60R1K4C6BKMA1
LIXINC Part # IPU60R1K4C6BKMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPU60R1K4C6BKMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPU60R1K4C6BKMA1 Specifiche

Numero parte:IPU60R1K4C6BKMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™ C6
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 90µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):28.4W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO251-3
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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