DMG3N60SJ3 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

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Numero parte	DMG3N60SJ3
LIXINC Part #	DMG3N60SJ3
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DMG3N60SJ3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DMG3N60SJ3 Specifiche

Numero parte:	DMG3N60SJ3
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	12.6 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	354 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	41W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-251
pacchetto/caso:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IXFB60N80P	MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264	1069 Maggiori informazioni su Ordine
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