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Numero parte | RQ3E130BNTB |
LIXINC Part # | RQ3E130BNTB |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RQ3E130BNTB Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RQ3E130BNTB |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 13A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 6mOhm @ 13A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1900 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-HSMT (3.2x3) |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
DMPH6250S-13 | MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 | 974 Maggiori informazioni su Ordine |
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FCPF20N60ST | 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL , | 1948 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11048 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
3000 | $0.15219 | $456.57 |
6000 | $0.14297 | $857.82 |
15000 | $0.13374 | $2006.1 |
30000 | $0.12913 | $3873.9 |
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