IPB120N06S403ATMA1 | Rochester Electronics IPB120N06S403ATMA1 | IPB120N06S403ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB120N06S403ATMA1

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Numero parte	IPB120N06S403ATMA1
LIXINC Part #	IPB120N06S403ATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB120N06S403ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB120N06S403ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB120N06S403ATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 120µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	13.15 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	167W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

EKI07076	MOSFET N-CH 75V 85A TO220-3	818 Maggiori informazioni su Ordine
RF4E110BNTR	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8	3428 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFI540NPBF	MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP	895 Maggiori informazioni su Ordine
IRFS7530-7PPBF	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK	11654 Maggiori informazioni su Ordine
SSU1N50BTU	1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL,	56375 Maggiori informazioni su Ordine