ISS55EP06LMXTSA1

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Numero parte ISS55EP06LMXTSA1
LIXINC Part # ISS55EP06LMXTSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD ISS55EP06LMXTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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ISS55EP06LMXTSA1 Specifiche

Numero parte:ISS55EP06LMXTSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 11µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:590 pC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:18 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT23-3-5
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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