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Numero parte | SCT20N120H |
LIXINC Part # | SCT20N120H |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SCT20N120H Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SCT20N120H |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 20V |
rds su (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 10A, 20V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 20 V |
vgs (massimo): | +25V, -10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 400 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 175W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | H2Pak-2 |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDMS86520 | MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN | 2147484489 Maggiori informazioni su Ordine |
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SIHB35N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK | 1815 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10850 - Maggiori informazioni su Ordine |
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