Solo per riferimento
Numero parte | IRFD220 |
LIXINC Part # | IRFD220 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRFD220 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRFD220 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 800mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 800mOhm @ 480mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 260 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
pacchetto/caso: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
SCH1331-S-TL-H | MOSFET P-CH 12V 3A SCH6 | 4500882 Maggiori informazioni su Ordine |
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DMP1080UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4 | 4126 Maggiori informazioni su Ordine |
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BSC052N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 95A TDSON | 15403 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11784 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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