IRFD220

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Numero parte IRFD220
LIXINC Part # IRFD220
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFD220 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFD220 Specifiche

Numero parte:IRFD220
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:800mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:800mOhm @ 480mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:260 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
pacchetto/caso:4-DIP (0.300", 7.62mm)

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