FCMT180N65S3

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Numero parte FCMT180N65S3
LIXINC Part # FCMT180N65S3
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCMT180N65S3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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FCMT180N65S3 Specifiche

Numero parte:FCMT180N65S3
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:SuperFET® III
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1.8mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:Power88
pacchetto/caso:4-PowerTSFN

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