R6008FNJTL

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Numero parte R6008FNJTL
LIXINC Part # R6008FNJTL
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD R6008FNJTL Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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R6008FNJTL Specifiche

Numero parte:R6008FNJTL
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:*
pacchetto:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:580 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LPTS
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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