DMP2006UFGQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMP2006UFGQ-13

DMP2006UFGQ-13

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Numero parte	DMP2006UFGQ-13
LIXINC Part #	DMP2006UFGQ-13
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DMP2006UFGQ-13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DMP2006UFGQ-13 Specifiche

Numero parte:	DMP2006UFGQ-13
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	17.5A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	7500 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.3W (Ta), 41W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerDI3333-8
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

CSD13306W	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA	3855 Maggiori informazioni su Ordine
PMN70EPEX	MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP	867 Maggiori informazioni su Ordine
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