CSD25213W10

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Numero parte CSD25213W10
LIXINC Part # CSD25213W10
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD25213W10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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CSD25213W10 Specifiche

Numero parte:CSD25213W10
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:47mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:2.9 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):-6V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:478 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-DSBGA (1x1)
pacchetto/caso:4-UFBGA, DSBGA

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