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RCJ081N20TL

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Numero parte	RCJ081N20TL
LIXINC Part #	RCJ081N20TL
Produttore	ROHM Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RCJ081N20TL Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RCJ081N20TL Specifiche

Numero parte:	RCJ081N20TL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	ROHM Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	770mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5.25V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.56W (Ta), 40W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	LPTS
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN1R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	1119 Maggiori informazioni su Ordine
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NVMFS4C03NWFT3G	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN	809 Maggiori informazioni su Ordine
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