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Numero parte | FDS6680 |
LIXINC Part # | FDS6680 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDS6680 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDS6680 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 11.5A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 11.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 27 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2.07 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOIC |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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In magazzino | 59215 - Maggiori informazioni su Ordine |
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