ZXMN3F30FHTA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

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Numero parte	ZXMN3F30FHTA
LIXINC Part #	ZXMN3F30FHTA
Produttore	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	ZXMN3F30FHTA Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

ZXMN3F30FHTA Specifiche

Numero parte:	ZXMN3F30FHTA
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	47mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	7.7 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	318 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	950mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-23-3
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDT86256	MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223	901 Maggiori informazioni su Ordine
NTD3055-150T4G	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK	5212 Maggiori informazioni su Ordine
NVTFS4C13NWFTWG	MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN	921 Maggiori informazioni su Ordine
AOTF20S60L	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F	1470 Maggiori informazioni su Ordine
STL7LN65K5AG	MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV	953 Maggiori informazioni su Ordine
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