STD120N4F6

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Numero parte STD120N4F6
LIXINC Part # STD120N4F6
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STD120N4F6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 15 - Sep 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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STD120N4F6 Specifiche

Numero parte:STD120N4F6
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3850 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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