BUK663R5-55C,118

BUK663R5-55C,118
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Numero parte BUK663R5-55C,118
LIXINC Part # BUK663R5-55C,118
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione PFET, 120A I(D), 55V, 0.005OHM,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUK663R5-55C,118 Impronta PCB e simbolo
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BUK663R5-55C,118 Specifiche

Numero parte:BUK663R5-55C,118
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.8V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:191 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11.516 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):263W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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