FCD3400N80Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

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Numero parte	FCD3400N80Z
LIXINC Part #	FCD3400N80Z
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FCD3400N80Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FCD3400N80Z Specifiche

Numero parte:	FCD3400N80Z
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	SuperFET® II
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	400 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	32W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDFS6N303	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC	87477 Maggiori informazioni su Ordine
IRL510SPBF	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	891 Maggiori informazioni su Ordine
NVTFS4C10NTAG	MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN	15904 Maggiori informazioni su Ordine
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IXFN80N50P	MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B	4526 Maggiori informazioni su Ordine
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