PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118
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Numero parte PSMN2R8-80BS,118
LIXINC Part # PSMN2R8-80BS,118
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PSMN2R8-80BS,118 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PSMN2R8-80BS,118 Specifiche

Numero parte:PSMN2R8-80BS,118
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:139 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9961 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):306W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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