RSQ015N06HZGTR

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Numero parte RSQ015N06HZGTR
LIXINC Part # RSQ015N06HZGTR
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RSQ015N06HZGTR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RSQ015N06HZGTR Specifiche

Numero parte:RSQ015N06HZGTR
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:290mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:2 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:110 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):950mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TSMT6 (SC-95)
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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