TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

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Numero parte	TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R303NL,L1Q
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TPN4R303NL,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TPN4R303NL,L1Q Specifiche

Numero parte:	TPN4R303NL,L1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.3V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	700mW (Ta), 34W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

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