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Numero parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSZ086P03NS3EGATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.1V @ 105µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 57.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 4785 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TSDSON-8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
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In magazzino | 23812 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.84000 | $0.84 |
5000 | $0.35084 | $1754.2 |
10000 | $0.33784 | $3378.4 |
25000 | $0.33075 | $8268.75 |
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