FDS6162N7

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Numero parte FDS6162N7
LIXINC Part # FDS6162N7
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDS6162N7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDS6162N7 Specifiche

Numero parte:FDS6162N7
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:23A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5.521 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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