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Numero parte | TK17E80W,S1X |
LIXINC Part # | TK17E80W,S1X |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK17E80W,S1X Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK17E80W,S1X |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | DTMOSIV |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 800 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 17A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 850µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2050 pF @ 300 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 180W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
TSM3481CX6 RFG | MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26 | 2379 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10981 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.37000 | $4.37 |
50 | $3.51161 | $175.5805 |
100 | $3.19946 | $319.946 |
500 | $2.59079 | $1295.395 |
1000 | $2.18500 | $2185 |
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