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Numero parte | STW72N60DM2AG |
LIXINC Part # | STW72N60DM2AG |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 66A TO247 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STW72N60DM2AG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 02 - Jul 06 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | STW72N60DM2AG |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 66A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 42mOhm @ 33A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 121 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5508 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 446W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247 |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
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In magazzino | 12200 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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30 | $8.78029 | $263.4087 |
120 | $7.92366 | $950.8392 |
510 | $6.63872 | $3385.7472 |
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