BSH108,215 | Nexperia BSH108,215 | BSH108,215 Inventory, Best Pricing

BSH108,215

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Numero parte	BSH108,215
LIXINC Part #	BSH108,215
Produttore	Nexperia
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSH108,215 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSH108,215 Specifiche

Numero parte:	BSH108,215
Marca:	Nexperia
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	190 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	830mW (Tc)
temperatura di esercizio:	-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-236AB
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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