IRFHM3911TRPBF

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Numero parte IRFHM3911TRPBF
LIXINC Part # IRFHM3911TRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFHM3911TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFHM3911TRPBF Specifiche

Numero parte:IRFHM3911TRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.2A (Ta), 20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:115mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 35µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 29W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (3x3)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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