BSS223PWH6327XTSA1

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Numero parte BSS223PWH6327XTSA1
LIXINC Part # BSS223PWH6327XTSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSS223PWH6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSS223PWH6327XTSA1 Specifiche

Numero parte:BSS223PWH6327XTSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:390mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 1.5µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.62 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:56 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):250mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT323-3
pacchetto/caso:SC-70, SOT-323

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